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即使在5纳米的超薄厚度下，建成其依然有11.2K的超导转变温度和36±2T的上临界磁场。座站全重要的是晶片规模尺寸高质量超导膜可以使用应用材料公司的Endura®300-mmImpulse™PVD物理气相沉积设备来制备。
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充电图4 与磁场相关的氮化铌薄膜超导特性。覆盖右上角插图为氮化铌晶格常数以及（111）衍射峰的半高宽与其厚度的关系
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